NTD20N06L, NTDV20N06L
SAFE OPERATING AREA
100
140
V GS = 15 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
10 m s
120
I D = 16 A
10
100 m s
1 ms
100
80
1
R DS(on) LIMIT
10 ms
dc
60
40
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
20
0.1
0.1
1
10
100
0
25
50 75 100 125
150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
P (pk)
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
R q JC (t) = r(t) R q JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t 1
T J(pk) ? T C = P (pk) R q JC (t)
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t, TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
di/dt
I S
t rr
t p
t a
t b
0.25 I S
TIME
I S
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
http://onsemi.com
6
相关PDF资料
NTD20P06L-001 MOSFET P-CH 60V 15.5A IPAK
NTD23N03R-1G MOSFET N-CH 25V 3.8A IPAK
NTD24N06-001 MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
NTD24N06LG MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
NTD25P03L1G MOSFET P-CH 30V 25A IPAK3
NTD2955PT4G MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
NTD3055-094G MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
NTD3055-150T4 MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
相关代理商/技术参数
NTD20N06L-1 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts, Logic Level
NTD20N06L-1G 功能描述:MOSFET 60V 20A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD20N06LG 功能描述:MOSFET 60V 20A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD20N06LT4 功能描述:MOSFET 60V 20A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD20N06LT4G 功能描述:MOSFET 60V 20A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD20N06T4 功能描述:MOSFET 60V 20A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD20N06T4G 功能描述:MOSFET 60V 20A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD20N08/D 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:80 V Power MOSFET